英飞凌科技近日于美国加州举办的「2010 应用电力电子研讨会暨展览会」上，宣布推出新款OptiMOS功率MOSFET系列产品。英飞凌所推出的OptiMOS 25V系列装置经过优化，适合应用于计算机服务器电源之稳压及电信/数据通讯之开关。新推出的MOSFET产品同样整合于TDA21220 DrMOS装置，装置与英特尔DrMOS规格兼容。

新款装置针对效率大幅降低三项关键的优值系数（FOM），降低MOSFET功损最多达20%，不论在何种负载条件下均能达到最佳的效能。装置拥有高功率密度特性，让一般电源供应器内降压转换器的电路板面积减少40%以上。

依多家市场研究机构的预测，到2011年全球服务器的使用量将高达6千万台，每台服务器平均耗电600瓦，全球服务器总耗电将达360亿瓦。即便耗电需求仅降低1%，即可省下3亿6千万瓦的电力，相当于一座水力发电厂的总发电量；同时，电源供应器的效率愈高，冷却系统需求亦相对降低，又可省下更多电力。

电源供应器设计人员可利用25V OptiMOS装置，减少产品的用电量、降低散热负载，甚至缩小产品体积。从许多方面来说，这些强化功能能为数据中心业者带来极高的价值，尤其因为服务器供电及冷却的电力成本在整个设备的营运预算中占了最大比重。终端用户对于系统整体体积的缩小亦相当重视。

英飞凌新推出的25V OptiMOS离散组件采用三种封装：SuperSO8、CanPAK及超小的S3O8，尺寸仅3.3公厘 x 3.3公厘。采用S3O8封装的六相位转换器，设计面积可缩小到仅1120平方公厘，足足较另外两种封装方式减少45至55%。新推出的DrMOS装置TDA21220，则采用多芯片封装，整合两颗新型的OptiMOS晶体管及一颗驱动器IC，效率较市面上其他同级解决方案高出2至4%。

相对于采用低导通电阻沟槽技术和超低栅极电荷横向MOSFET概念的装置，OptiMOS25V产品在效率优值系数方面的表现更为出色。在导通电阻相同的情况下，全新OptiMOS 25V产品的闸电荷较采用次佳沟槽型产品减少35%，而其输出电荷则较佳的横向MOSFET产品减少50%。