东芝电子元件及储存装置株式会社推出「第九代π-MOS」，全新600V平面式MOSFET系列，量产出货於即日起启动。
- 第九代π-MOS系列采用最隹化的晶片设计，与现有的第七代系列相比，其EMI杂讯峰值低5dB[1]，但同时又保持了相同水准效率。它提供更大的设计自由度进而助於减少设计的工作量，可应用於笔电AC变压器及游戏机充电器中的小型电源供应器和照明电源供应器。另外，此系列具备相同的额定雪崩电流和额定直流电流，可轻松取代现有的MOSFET。
东芝为扩大第九代π-MOS系列之产品阵容，往後将陆续推出更多500V、 600V和650V元件，提供客户更多产品选择。
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