致力於亚太区市场的领先零组件通路商大联大控股今日宣布，旗下品隹集团将推出英飞凌（Infineon）1200 V碳化矽MOSFET技术。

此次推出的新技术可提升产品设计的功率密度和效能表现，并有助电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热需求，进一步提升可靠性和降低系统成本。

根据多年於碳化矽半导体的开发经验，全新MOSFET采用先进的沟槽半导体制程，为英飞凌於CoolSiC系列产品上的最新突破。首款分离式1200 V CoolSiC MOSFET的导通电阻（RDS(ON)）额定值为45 mΩ。此产品将采用3接脚和4接脚TO-247封装，4接脚封装上有个额外的源极连接端子，作为门极驱动的讯号接脚，以消除源极电感所导致的降压影响，也有助於降低开关损耗，特别是在更高的开关频率时。

此外，英飞凌还推出以碳化矽MOSFET技术为基础的1200 V Easy1B半桥式与升压器模组。其采用Press-FIT连接，具有良好的热介面、低杂散电感和坚固的设计，每种封装的模组均有11 mΩ和23 mΩ的RDS(ON)额定值。

产品特色

英飞凌的CoolSiC MOSFET采用沟槽技术，可靠性高且效能优良，同时也降低了动态损耗，相较於1200V矽（Si）IGBT有明显降低。该MOSFET对於通常应用於驱动IGBT的+15 V/-5 V电压完全相容，其结合了4V基准??值额定电压（Vth）、目标应用要求的短路稳健度和可完全管控的dv/dt电压，与矽IGBT相较下，其优势包括低温度系数的开关损耗和无??值电压的静态特性。

这些电晶体如同IGBT一样易於控制，在发生故障时得以安全地关闭，此外，英飞凌碳化矽MOSFET技术可以透过栅极电阻调节改变开关速度，因此能提升电磁相容（EMC）的效能。

产品应用

目前主要在改善太阳能光伏逆变器、不断电（UPS）或充电／储能系统等应用系统的阶段，此後可将其范围扩大到工业变频器。