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快捷推出150V低RDS MOSFET组件
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2010年07月22日 星期四

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快捷半导体公司(Fairchild Semiconductor)于昨21日宣布,推出一款具有低RDS(ON)(最大值17mOhm)和最佳质量因子(Figure of Merit; FOM)(最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET组件FDMS86200,以满足DC-DC设计人员对具有较低开关损耗、较低噪声和紧凑的占位面积之MOSFET产品的需求。该组件利用快捷先进的制程技术和封装技术,以及系统专有技术,并采用5mm x 6mm MLP封装,具有效率高、功耗较低和发热较少的特性。

快捷推出150V低RDS MOSFET组件
快捷推出150V低RDS MOSFET组件

FDMS86200采用屏蔽栅极MOSFET技术设计,具有较低的开关噪声和振铃噪声,有助于降低EMI。如果没有这项专有功能,设计人员则需使用200V MOSFET组件,从而使得RDS(ON)增加一倍,降低整体效率。快捷半导体的FDMS86200还拥有经改良的自体二极管(body diode),能够藉由减少损耗来提升开关效能。

快捷表示,可提供最广泛的MOSFET产品系列,让设计人员能够选择多种技术,找到满足应用需求的合适MOSFET。快捷拥有独特的功能、制程和创新封装及整体系统专有技术之组合,而其MOSFET产品系列具有广泛的崩溃电压范围(20V-1000V),以及从1mm x 1.5mm WL-CSP到20mm x 26mm TO264封装的先进封装技术,能够推动电子制造商实现更出色的创新设计。

關鍵字: MOSFET组件  快捷 
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