美光科技 (Micron) 于日前宣布，已与英特尔 (Intel) 合力 推出采用 25 nm 制程技术3-bit-per-cell (3bpc) NAND 闪存，该 NAND 装置拥有超大容量与最小尺寸。美光与英特尔已送样给部分客户，该产品预计在今年年底量产。

与 USB、SD闪存卡和消费性电子产品相比，新推出的 25 nm 64Gb 3bpc 记忆装置的成本更低且容量更大。闪存主要用于储存数据、照片或其它多媒体，以供计算机和数字装置 (数字相机、可携式媒体播放器、数字摄影机和各类型个人计算机) 之间的数据撷取和传输，而以上这些市场一直承受来自低价与高容量的压力。

由美光与英特尔双方合资筹组建的 NAND 闪存公司 IM Flash Technologies (简称 IMFT) ，所开发的这项 64Gb / 8Gb 25 nm 微影技术，可提供每单位 3 位的数据容量，而传统技术只能提供 1 位 (单层式储存) 或 2 位 (多层式储存) 。3bpc 在业界也被称为三层式储存 (triple-level cell, 简称 TLC) 。

该装置较相同容量的美光和英特尔 25 nm MLC (多层式储存) 尺寸节省至少 20%，是目前市面尺寸最小的单一 8Gb 装置。从现今电子产品有限的设计空间来看，小尺寸闪存对消费性终端产品闪存卡显得尤其重要。此款产品芯片面积为131 mm²，符合业界标准的 TSOP 封装。