Ramtron日前宣布，其1Mbit、2.0V-3.6V串行F-RAM内存FM25V10-G，通过了AEC-Q100 Grade 3标准认证，这项严格的汽车等级认证是汽车电子设备委员会（Automotive Electronic Council, AES）针对集成电路而制定的应力测试认证。

Ramtron 1Mbit串行F-RAM提升至汽车标准要求

目前Ramtron符合AEC-Q100标准的内存产品已增加至十五种，这些产品都经过专门设计以满足汽车市场的严苛要求。通过Grade-3认证，保证组件能够在-40℃到+85℃的汽车使用温度范围内正常运作。

FM25V10-G是RamtronV系列非挥发性F-RAM内存的成员，具有2.0V至3.6V的大范围工作电压。它是1Mbit串行SPI组件，工作电流为3.0mA (40MHz下的Idd)，采用工业标准8接脚SOIC封装。FM25V10-G在40MHz全总线速度下运作，具有无延迟（NoDelay）写入功能、几乎无限的耐用性和低功耗等特点。

该组件是汽车、工业控制、计量、医疗、军事、游戏以及运算等应用中，1Mbit串行闪存和串行EEPROM内存的理想即插即用式（drop-in）替代产品。

Ramtron V系列F-RAM产品包括多种串行I2C、串行SPI和并行内存。V系列产品能够实现更好的技术规格和更丰富的功能集。串行V系列产品备有可选用之独特64位序号，由一个16位客户ID、一个40位制造序号，以及需要独特电子编号的8位循环冗余代码系统校验组成，提供了更高等级的安全性。