安国国际近日宣布，该公司SD3.0记忆卡控制芯片解决方案样品初步验证已阶段性完成。安国研发团队于SD协会制定记忆卡新一代规格－SDXC（eXtended Capacity）期间，已密切留意动向，并于2009年国际消费性电子展（CES）协会正式宣布底定之规格后，立即展开技术之开发，投入迄今，Q1样品在验证确认中，同时间亦与客户进行相关系统环境及兼容性测试，将配合客户需求进入量产阶段。

SD3.0规格特色为：(1)SDXC最大记忆容量由SDHC记忆卡的32GB大举提升为60倍以上的2TB，能支持大量高分辨率多媒体影音档；(2)UHS模式读写速度将可加速至每秒104MB，但由于SDXC是全新接口，欲发挥其规格特色，接口转换速度必须取决于SD Host，未来更有机会可达每秒300MB；(3)目前UHS-I（Ultra High Speed Type I）支持两种记忆卡型式UHS50及UHS104；(4)搭配大容量储存应用，采用最新的exFAT文件格式。

安国国际储存装置事业部副总郑金祯表示，该公司记忆卡控制芯片设计随SD3.0规格的演进而提升，仍以低耗电，高传输速度，高容错性为主轴。此外，NAND Flash产业正值制程转换期，研发团队亦积极提升技术层次于搭配之关键零组件以快速满足客户需求。