Transphorm继近期推出三款新型TOLL FET後，推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET，新品TP65H070G4RS电晶体的导通电阻为72毫欧，为采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化??元件。针对不适合使用传统底部散热型表贴元件的系统，TOLT封装提供高灵活度的热管理方案，不仅热性能相当於广泛使用的、热性能稳定的TO-247??孔封装，还具有基於SMD的印刷电路板组装（PCBA）实现高效制造流程的优势。

Transphorm采用顶部散热的TOLT氮化??电晶体，协助运算、人工智慧、能源和汽车电源系统实现热性能和电气性能，目前可提供样片。

TP65H070G4RS采用Transphorm的650 V常闭型d-mode氮化??平台，该平台具有更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗、反向恢复电荷和动态电阻，因而效率优於矽、碳化矽和其他氮化??产品。SuperGaN平台的优势与TOLT封装更好的散热性及系统组装灵活性相结合，为寻求具有更高功率密度和效率、整体功率系统成本更低的电源系统客户提供GaN解决方案选择。Transphorm正与全球多个高功率GaN合作夥伴展开合作，包括伺服器和储存电源、能源/微逆变器、卫星通信领域厂商，以及创新型离网电源解决方案制造商。

Transphorm业务发展及市场行销高级??总裁Philip Zuk表示：「TOLL和TOLT这样的表面贴装元件具有降低内部电感，以及在制造过程中更简单的板载安装等优势。TOLT通过采用顶部散热来提供更灵活的整体热管理，具有类似??孔式的散热性能。这些元件通常用於中高功率系统应用，包括高性能运算（例如伺服器、电信、人工智慧电源）、可再生能源和工业、以及电动汽车等为其关键市场。目前，其中一些市场应用已采用Transphorm的氮化??技术。」

该650 V SuperGaN TOLT封装元件已通过JEDEC标准认证。由於常闭型d-mode平台是将GaN HEMT结合一个整合型低电压矽MOSFET，因此，SuperGaN FET可以使用常用的市售栅极驱动器驱动，应用於各种硬开关和软开关AC-DC、DC-DC和DC-AC拓扑中，提高功率密度，并减少系统尺寸、重量和成本。

TP65H070G4RS SuperGaN TOLT封装元件目前可提供样片。