全球氮化??（GaN）功率半导体供应商Transphorm推出两款采用4引脚TO-247封装的新型SuperGaN器件TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET，各别具有35毫欧和50毫欧的导通电阻，并配有一个开尔文源极端子，以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能，因应高功率伺服器、可再生能源、工业电力转换领域的需求。

Transphorm推出两款采用4引脚TO-247封装的新型SuperGaN器件TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET，符合高功率伺服器、可再生能源、工业电力转换领域的需求。

新产品将采用Transphorm成熟的矽衬底氮化??制程，该制造工艺不仅可靠性高，而且具有良好的成本效益，适合现有矽基生产线量产。一千瓦及以上功率级的资料中心、可再生能源和各种工业应用的电源中，Transphorm的4引脚SuperGaN器件可作为原始设计选项，也可直接替代现有方案中的4 引脚矽基和SiC器件。4引脚配置能够进一步提升开关性能，从而为使用者提供灵活性。

TO-247-4L封装器件具有相同的稳健性、易设计性和易驱动性，目前50毫欧TP65H050G4YS FET已可供货，35毫欧TP65H035G4YS FET正在出样，预计於 2024 年一季度供货上市。