为满足对高热效功率半导体不断增长的需求，Vishay宣布推出七款采用新型PowerPAK ChipFET封装的p信道功率MOSFET，该封装可提供高级热性能，其占位面积仅为3mm×1.8mm。

PowerPAK ChipFET组件

这些新型PowerPAK ChipFET组件的热阻值低75%，占位面积小33%，厚度（0.8 毫米）薄23%，它们成为采用TSOP-6封装的MOSFET的小型替代产品。

这些组件的最大功耗为3W，与更大的SO-8封装的相同。

凭借低传导损失及更高热效，Vishay新型PowerPAK ChipFET系列中的p信道功率MOSFET可延长可擕式设备的电池使用时间，在这些器件中，它们将用于替代采用TSOP-6封装的负载、充电器及电池MOSFET开关。此外，肖特基二极管版本的p信道还可作为可擕式设备或异步直流到直流应用中的充电器开关，例如硬盘驱动器及游戏机中的充电器开关，以替代采用SO-8封装的组件。由于这些新型PowerPAK ChipFET功率MOSFET具有多种配置及电压，因此设计人员可利用采用这种创新封装的器件轻松替代热效更低的更大MOSFET。日前推出的这七款新型组件为单信道、双信道及单信道带肖特基二极管的功率MOSFET，它们的额定击穿电压为12V及20V。