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Cypress新4-Mbit nvSRAM采0.13微米SONOS制程
 

【CTIMES/SmartAuto 林佳穎报导】   2007年10月26日 星期五

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Cypress公司发表一款全新4-Mbit非挥发性静态随机存取内存(non-volatile static random access memory;nvSRAM),具备15奈秒(ns)的访问时间、无限次數的讀写及记忆周期、还有长达20年的资料维持等产品特色,十分适合需要持续高速写入资料,与绝对非挥发资料安全等应用,包括:RAID的应用、环境严苛的工业控制、以及在汽車、医療、數据通讯系统中的资料记錄功能。nvSRAM为快速、非挥发性内存提供最佳替代方案。相较于电池备援的SRAMS,nvSRAM所需电路板空间更少、设计复杂度更低,而且比MRAM或铁电内存(FRAM)更为经济实惠。此最新nvSRAM产品也是Cypress所推出一系列nvSRAMs中的最新产品,包括256K-与1-Mbit的nvSRAM组件,并且皆已量产供货中。预计在2008年上半季将会陸续发表更多产品。

Cypress全新4-Mbit nvSRAM
Cypress全新4-Mbit nvSRAM

此款全新4-Mbit nvSRAMs采用Cypress的S8 0.13微米SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon,硅氧化氮氧化硅)嵌入式非挥发性内存技术,具备更高密度,并能改善访问时间与效能。Cypress为SONOS制程技术之領导厂商,未來亦会将S8技术运用在下一世代的PSoC混合讯号阵列、OvationONS雷射导引传感器(navigationsensors)、可编程频率以及其他产品上。SONOS除了高度兼容于标准型CMOS技术外,还具备许多优点包括:高耐用度、低功耗、抗輻射。此外,与其他嵌入式非挥发性内存技术相较,SONOS可提供更稳定、兼具量产规模与经济效益的解决方案。

關鍵字: nvSRAM  cypress  动态随机存取内存 
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