功率、安全性、可靠度和效能差异化半导体解决方案供货商美高森美公司(Microsemi Corporation) 扩展碳化硅(SiC)肖特基产品系列的阵容，推出全新的650V解决方案产品，新型二极管产品将以包括太阳能逆变器在内的大功率工业应用为其应用目标。

诸如SiC等宽带带间隙(bandgap)半导体器件采用了最先进的材料，许多功率电子和系统设计人员在其新设计中都会考虑采用这些先进的材料。与硅材料相比，SiC可提供多项优势，包括较高的击穿电场强度和较高的导热性等。这些特性可让设计人员开发出性能较好的产品，包括零反向恢复、温度独立行为、较高的电压能力和较高的工作温度，以便将性能、效率和可靠性带到全新的等级。

美高森美公司功率产品部门高级产品营销经理James Kerr表示：“美高森美的SiC功率半导体器件是那些正在寻求提升系统效率的功率电子设计人员之理想选择，碳化硅是我们众多客户的颠覆性(game-changing)技术。凭借着公司内部的制造能力、全面的SiC解决方案产品组合，以及包括数款全新SiC产品的发展蓝图，美高森美对于掌握此一不断增长的市场机会，拥有绝佳的地利条件。”

美高森美全新650V SiC肖特基二极管的产品组合包括：

‧ APT10SCD65K (650V、10A、TO-220 封装)

‧ APT10SCD65KCT (650V、10A、 共享阴极TO-220 封装)

‧ APT20SCD65K (650V、20A、TO-220 封装)

‧ APT30SCD65B (650V、30A、TO-247 封装)

新的解决方案业已应用在公司的功率模块产品中，这些功率模块可应用到航空航天、焊接、电池充电和其它大功率的工业领域中。