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UMC与SuVolta 宣布联合开发28奈米低功耗制程技术
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2013年07月24日 星期三

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联华电子公司与SuVolta公司,宣布联合开发28奈米制程。该项制程将SuVolta的Deeply Depleted Channel(tm) (DDC)晶体管技术整合到UMC的28奈米High-K/Metal Gate(HKMG)高效能移动(HPM)制程。SuVolta与UMC正密切合作利用DDC晶体管技术的优势来降低泄漏功耗,并提高SRAM的低电压效能。

这两家公司还宣布该制程技术将提供高度灵活的采用方式:

"DDC PowerShrink(tm)低功耗平台"选项:所有晶体管都使用DDC技术以实现最佳功耗与效能优势;

"DDC DesignBoost晶体管调换"选项:用DDC晶体管取代现有设计中部分晶体管。该选项的典型应用是用DDC晶体管取代泄漏功耗大的晶体管来降低泄漏,或者取代SRAM位单元晶体管从而提高效能并降低最低工作电压(Vmin)

UMC先进技术部副总裁T.R.Yew表示:"在接下来的几周或者几个月,我们期待看到与SuVolta联合开发的技术有良好的结果,从而进一步验证DDC技术为UMC的28奈米 HKMG制程带来的功耗与效能优势。通过将SuVolta的先进技术引进到我们的HKMG制程上,我们将提供28奈米移动计算制程平台,以完善我们现有的Poly-SiON及HKMG技术。"

SuVolta?裁兼首席?行官Bruce McWilliams博士表示:"UMC与SuVolta?????DDCSuVolta总裁兼首席执行官Bruce McWilliams博士表示:"UMC与SuVolta团队继续将DDC技术集成到UMC的28奈米制程,取得优秀的进展。通过合作,我们开发的制程使得UMC客户的设计易于移植。此外,SuVolta为业界提供选择,以替代昂贵而复杂的制程技术,从而推动未来移动器件的发展。"

關鍵字: 低功耗制程技术  UMC 
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