瑞萨电子（Renesas）推出全新系列半导体雷射二极体「NX6375AA系列」。此款新开发的直接调变分布式反馈雷射二极体（DFB LD，注1）支援100 Gbps光学收发器的25 Gbps ×四波长光源，可用于资料中心内伺服器与路由器之间的通讯。

瑞萨电子新系列半导体雷射二极体，为物联网时代的资料中心实现100 Gbps高容量/速度的光学通讯。支援高温运作并协助在高速通讯及高温环境中稳定运作。

*NX6375AA系列可让系统开发人员设计高速光学收发器与光学模组，即使在高温环境中也非常可靠，此全新系列产品适用于资料中心内的伺服器与路由器，并已经可供量产。

近来由于联网时代的云端运算大为盛行，连接至网际网路并处理大量资料的资料中心之规模与处理容量，预期将以每年59%的速度持续增加（注2）。在上述环境的资料中心内，光学收发器需要更高的传输速度，才能满足伺服器与路由器之间的通讯需求，100 Gbps系统将取代目前主流40 Gbps系统，预期年成长率将达到75%（注2）。

但以上趋势的主要顾虑在于系统的发热将随着通讯速度等比例增加，而可能造成运作状态不稳定。因此，在高温环境及较高通讯速度下维持稳定运作，已成为光学收发器的主要议题。

瑞萨自2004年起推出适用于此领域的LD，当时的通讯速度为10 Gbps。全新NX6375AA LD系列支援100 Gbps系统，预期将成为未来通讯系统的主流，同时藉由解决此领域的上述问题，将有助于使用者的光学收发器装置达到更高的速度与稳定性。

主要功能

（1）创立在Tc =摄氏-5度至85度的作业温度范围中，每波长达到最高28 Gbps的运作稳定性

此款LD不仅支援以四波长达到100 Gbps，同时支援最高112 Gbps的系统。此外，此款LD采用瑞萨独特的嵌入式架构，并采用砷化铝镓铟（AlGaInAs）做为材料。因此，藉由最佳化DFB结构，这款LD可在Tc =摄氏-5度至85度的广大作业温度范围中，达到最高28 Gbps的传输速率（注2）。

此LD系列的四个波长为1271、1291、1311及1331奈米（nm），支援瑞萨独特技术CWDM的波长间隔（注3）。

（2）确保10万小时MTTF的高可靠性（注4）

为了让这些LD安全地用于资料中心环境，瑞萨在晶圆晶体生长制程中采用窄宽选择生长技术，控制有效层中的晶体缺陷，并形成保护性氧化铝层（瑞萨的独特技术） 。由于铝的氧化反应可在制程中加以控制，因此这些雷射二极体可达到领先业界的10万小时平均失效时间（MTTF）水准，确保极高可靠性（注4）。

瑞萨除了针对100 Gbps高速通讯应用领域，积极扩大其LD产品，亦持续努力扩大其LD的在低温方面的作业温度范围，以符合通讯基地台等应用的需求。此外，瑞萨可结合LD、高速光学接收装置及瑞萨微控制器（MCU），提供加值程度更高的解决方案计画。

即日起开始供应NX6375AA系列样品。目前已开始量产，预期至2107年4月可达每月生产10万颗四波长产品的规模。 （编辑部陈复霞整理）

注解

注1：分布式反馈雷射二极体。 LD类型之一，具有内部绕射晶格结构，并具有单模谐振。 DFB LD非常适合高速通讯应用。

注2：根据瑞萨研究（2016年10月25日）

注3：CWDM：粗式波长分割多工转换。一种可在单一光纤中传送不同波长（亦即多频）光学讯号的技术），透过这些元件，4个25 Gbps的波长可提供总计100 Gbps的容量。

注4：10万小时MTTF可靠性并无绝对保证。