Vishay推出采用PowerPAK SC-75封装的p信道功率MOSFET系列，该系列包括额定电压介于8V～30V的多个器件，这些是采用此封装类型的首批具有上述额定电压的器件。

Vishay推出采用PowerPAK SC-75封装的p信道功率MOSFET系列

日前推出的这些器件包括首款采用PowerPAK SC-75封装的-12V(SiB419DK)及-30V(SiB415DK)单p信道功率MOSFET。先前宣布推出的SiB417DK为首款-8V的此类器件，目前此类器件又增添了具有-8V相同额定电压的ESD保护版本SiB417EDK。这两款8V器件均包含低至VGS = 1.2V的导通电阻规格，由于无需电平位移电路，因此可使设计人员降低空间要求、功耗及解决方案成本。这些新产品还包括两款 -20V器件－单信道 SiB411DK 与双信道SiB911DK。在4.5V栅极驱动时单信道器件的导通电阻范围介于0.052奥姆～0.066奥姆。

Vishay Siliconix PowerPAK SC-75 功率MOSFET的尺寸为1.6mm×1.6mm×0.75mm—与标准SC-75的尺寸相同—但导通电阻更低，因为其采用可在相同占位面积中容纳更大片芯的构造。除通过节能实现环保外，PowerPAK SC-75还100%无铅(Pb)、无卤素，并且符合RoHS，因此符合消除有害物质的国际法规的要求。

新型PowerPAK SC-75 器件为寻求在功能日益增多的可擕式电子系统中节约空间并降低功耗的设计人员提供了新的微型封装选择。为满足消费者对电池充电间隔间的电池运行时间的期望，设计人员需要具有低功耗的更小MOSFET封装，这恰恰是新型PowerPAK SC-75 所具有的特点。这些p信道PowerPAK SC-75功率MOSFET的典型应用将包括手机、PDA、数码相机、MP3播放器及智能电话中的负载开关。-30V SiB415DK还将在笔记本计算机及其他可擕式设备中用于负载开关及驱动白光LED。