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安森美半导体推出全新电源模组 为太阳能和工业电源应用提供高能效与空间节省的方案
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2018年11月09日 星期五

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安森美半导体推出全新功率模组,在高度整合和紧凑的封装中提供极隹能效、可靠性和性能,新增至公司现已强固的电源半导体元件产品组合。

安森美半导体推出全新电源模组
安森美半导体推出全新电源模组

太阳能逆变器(inverter)、不断电系统(uninterruptable power supply;UPS)逆变级和工业变频驱动器(variable frequency drive;VFD)等应用中的功率级通常由离散(discrete)的IGBT/MOSFET整合专用驱动器和额外离散元件构成。

安森美半导体全新NXH160T120L2Q1SG和NXH160T120L2Q2F2SG功率整合模组(PIM)提供紧凑、高度整合的方案,采用易於贴装(mountable)的封装,节省空间与降低成本,极大化地减轻设计人员的挑战。

这些元件采用Q1和Q2封装,用於30 KW和50 KW逆变器,整合场截止(field stop)沟槽式(trench)IGBT和快速恢复二极体,提供更低的传导(conduction)和开关损耗,并使设计人员能够在低VCE(SAT)和低EON / EOFF损耗间折衷,以充分最隹化电路性能。

直接覆铜(direct bond copper;DBC)基底(substrate)支援大电流,最大限度地降低寄生电感(parasitic inductances)的影响,使设计人员实现高开关速度,以及以12.7 mm的爬电距离(creepage distance)提供3000 Vrms的隔离电压。

此外,安森美半导体亦推出全新充分最隹化、超紧凑的智能功率级(smart power stage;SPS)多晶片模组FDMF3170,用於伺服器、资料中心、人工智慧加速器和电信设备中的DC-DC 降压转换器。其整合两个基於安森美半导体PowerTrenchR技术的高性能功率MOSFET,与一个具高精准电流感测器的智能驱动器以实现最隹处理器性能。

Electronica展会上的电源转换和马达控制技术展示

这两个全新功率模组将於Electronica展会期间在安森美半导体展台展示,突显基於半导体的高能效方案对於开发成功的电源转换和马达控制(PCMC)设计关键重要。展台展示将重点展现安森美半导体的方案在工业电源、太阳能和马达驱动器开创领先地位,并将包含一个机器人展示与太阳能和电池储能装置。

安森美半导体提供最广泛的电源半导体元件产品组合,采用创新的封装格式,支援全球迈向更洁净、高可靠性和具成本效益的能源设计。该产品组合包含基於先进宽能隙(wide bandgap ;WBG)材料的元件、用於所有马达类型的MOSFET、IGBT、PIM和IPM以及全整合的驱动器。这些元件共同显着提高现代应用所需的高能效、可靠、紧凑和低成本的电源方案,持续推动能源革命。

關鍵字: 功率模組  安森美 
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