南亚科技宣布其1066MHz DDR3 So-DIMM笔记型记忆模块已获得Intel Centrino 2 行动运算平台认证。

南亚科技1066MHz DDR3 So-DIMM笔记型记忆模块

南亚科技全球业务营销副总经理暨发言人白培霖博士表示：「南亚科技低耗电DDR3笔记本电脑专用内存能获得英特尔认证，足以证明南科DDR3优异的运算及绘图表现，已为日益成长的笔记本电脑市场提供最佳的内存解决方案。」

英特尔公司数字企业事业群产业计划与策略规划部门总监Ali Sarabi表示：「英特尔2008年即将推出的行动运算平台，将搭载新一代高宽带低耗电量DDR3内存，我很荣幸南亚科技DDR3 So-DIMM笔记型内存模块能通过英特尔的测试。」

南亚科技1066MHz DDR3 So-DIMM笔记型记忆模块可支持PC3-6400到PC3-8500，使用时序为7-7-7，将能有效强化英特尔Intel Centrino 2 行动运算平台。此外，作为一专业的内存解决方案，南科DDR3的设计符合大量绘图及高传输速率的需求，因此能加快中央处理器信息传输的速度，所以每一条高效节能的南科DDR3内存模块，皆能满足专业玩家对极致效能的追求。此次通过认证之DDR3 So-DIMMs笔记型记忆模块是以 DDR3 1Gbit为基础组件，由南亚科技和其合作伙伴奇梦达共同开发。