账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
提升网路及数据通讯系统之功率效益

【CTIMES/SmartAuto 楊青蓉报导】   2003年02月19日 星期三

浏览人次:【3455】

全球功率半导体及管理方案厂商国际整流器公司(IR)于19日推出IRF1312型HEXFET功率MOSFET,额定电压达80V,可用作隔离式直流-直流转换器中的主要和次要MOSFET,专门应用于网络通讯及数据通讯应用领域。 IR指出,用作主要MOSFET时,IRF1312能处理高至60V最大输入电压,因此最适用于36V至60V及48V经调节的输入汇流排隔离式直流-直流转换器中的半桥或全桥配置。相较于同类75V MOSFET,其80V额定电压可提供额外6%的防护频带,使设计更坚固耐用。

0219_IRF1312 HEXFET
0219_IRF1312 HEXFET

IR台湾分公司总经理朱文义表示,「有很多用于主要应用系统的设计都需要75%元件降压功能,现有75V MOSFET却只能支援输入电压在56V或以下​​的系统。全新IRF1312 80V MOSFET可满足60V或以下应用的降压要求,因此能为36V至60V汇流排应用展现高度的可靠性,以迎合电信及数据通讯系统的要求。」

用作次要MOSFET时,IRF1312在12V应用系统中的效率比起标准75V MOSFET高出0.4%,适用于最大输出电压高达15V的次要电路。 IR表示,全新MOSFET的栅电荷极低,可减低开关损耗;导通电阻也较低,能将传导损耗降至最低。该元件设有TO-220AB、D2Pak及TO-262封装。

關鍵字: 国际整流器公司  朱文义  电流控制器 
相关产品
IR扩展SupIRBuck系列
IR发表最新IR3502 Xphase控制IC
IR推出600V绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列
IR实时功率侦测IC 针对低压DC-DC转换器而设
IR推出保护式600V三相闸驱动器IC
  相关新闻
» 应材发表新晶片布线技术 实现AI更节能运算
» 工研院51周年「创新引航、共创辉煌」特展 打造日不落产业竞争力
» 工研菁英奖6项金牌技术亮相 创新布局半导体、5G及生医新市场
» SEMICON Taiwan将於9月登场 探索半导体技术赋能AI应用无极限
» 英飞凌在台成立车用无线晶片研发中心 将带动电动车产值逾600亿
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK87GD83TS4STACUKB
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw