香港商富士通亚太电子有限公司台湾分公司 (以下称富士通) 今日宣布推出8Mbit ReRAM「MB85AS8MT」，此款全球最高密度的ReRAM量产产品由富士通与松下电器半导体(Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.)合作开发，将於今年9月开始供货。MB85AS8MT是采用SPI介面并与电子抹除式可复写唯读记忆体 (EEPROM) 相容的非挥发性记忆体，能在1.6至3.6伏特之间的广泛电压范围运作，其一大特色是极低的平均电流，在5MHz工作频率下仅需0.15mA读取资料，这让需透过电池供电且经常读取资料的装置能达到最低功耗。MB85AS8MT采用极小的晶圆级晶片尺寸封装 (WL-CSP)，所以非常适用於需电池供电的小型穿戴装置，包括助听器、智慧手表及智慧手环等。

MB85AS8MT采用极小的晶圆级晶片尺寸封装 (WL-CSP)

富士通提供各种铁电随机存取记忆体 (FRAM)(注3) 产品，能提供比EEPROM与快闪记忆体更高的耐写次数与更快的写入速度。富士通的FRAM产品以最隹的非挥发性记忆体闻名，尤其是需要非常频繁记录及保护写入的资料以避免突然断电时导致资料遗失。但同时，也有些客户提出需要较低电流读取运作的记忆体，因为他们的应用仅需少量的写入次数，却极频繁地读取资料。

为满足此需求，富士通开发出新型态的非挥发性ReRAM记忆体「MB85AS8MT」，兼具「高密度位元存取」及「低读取电流」的特色。其为全球最高密度的8Mbit ReRAM量产产品，采用SPI介面、支援1.6至3.6伏特的广泛电压，且包含指令与时序在内的电气规格都相容於EEPROM产品。

「MB85AS8MT」最大的特色在於即使拥有超高密度，仍能达到极小的平均读取电流。例如，在5MHz的工作频率下，平均读取电流为0.15mA，仅相当於高密度EEPROM元件所需电流的5%。

因此，在需要透过电池供电的产品中，像是特定程式读取或设定资料读取这类需要频繁读取资料的应用中，透过此记忆体的超低读取电流特性，该产品即能大幅降低电池的耗电量。

除了提供与EEPROM相容的8针脚小外形封装 (SOP) 外，还可提供2mm x 3mm的超小型11针脚WL-CSP，适用於装设在小型穿戴装置中。

高密度记忆体与低功耗的MB85AS8MT采用极小封装规格，成为最适合用於需以电池供电之小型穿戴装置的记忆体，像是助听器、智慧手表及智慧手环等。

富士通将持续致力研发最隹记忆体，支援客户对各种特殊应用的需求。

关键规格

· 元件型号：MB85AS8MT

· 记忆体密度 (组态)：8 Mbit (1M字元x 8位元)

· 介面：序列周边介面 (SPI)

· 运作电压：1.6V至3.6V

· 运作频率：最高10MHz

· 低功耗：读取运作电流0.15mA (5MHz下取平均值)

· 写入周期时间：10ms

· 分页容量：256 bytes

· 保证写入周期：100万次

· 保证读取周期：无限

· 资料保留：10年 (最高耐热达85。C)

· 封装：11-pin WL-CSP与8-pin SOP