为了加速超小型化USB PD充电器的设计，伟诠电子日前推出采用WT7162Rx高频多模准谐振式反激式控制晶片搭配氮化??的超小型化USB PD充电器叁考设计。

伟诠电子60W超小型化氮化??USB PD充电器叁考设计(source:伟诠)

WT7162Rx PWM控制系列晶片是一款高度整合的高频/多模式反激式PWM控制晶片，具备准谐振模式切换和波谷切换的非连续导通模式。这系列控制晶片可优化产品性能，并提高充电器的整体效率，以及大幅减少周边使用零件数目和降低材料成本。

这控制晶片在高输出功率期间，以准谐振切换模式运行，并在中/低输出功率期间，降低开关频率并支持非连续导通模式下的谷底开关切换，使充电器能够在整个输出功率范围内实现最隹转换效率。

本控制晶片提供全面性安全保护机制，例如X-Cap自动放电保护、交流电源欠电压保护(BNI/BNO)、输出过电压保护(OVP)、输出短路保护(SCP)、内含过温度保护(OTP)、输出过载保护(OLP)等，并且针对宽输出电压应用，提供适应性过功率保护(OPP)和适应性调降频率的效率优化技术等。由於独特的超高压取电技术，可以支持业界USB PD3.0 with PPS(programmable power supply)严苛的输出电压3.3V~21V需求，并可大幅减少外部应用电路。

此系列控制晶片包含WT7162RH和WT7162RG两个版本。WT7162RH 专门使用於 super junction MOSFET，而WT7162RG提供6V箝制闸极电压，用於直接驱动新世代化合物半导体氮化??(GaNFET)功率开关。

叁考设计是一60W USB PD充电器(5V/3A; 9V/3A; 12V/3A; 20V/3A; PPS 3.3V~21V/3A)，该设计包含WT7162Rx具有超高压启动的PWM控制晶片、WT7131A支持CCM/DCM高频同步整流的控制晶片、和WT6636F USB PD协议控制晶片，搭配GaNFET功率开关，兼具高效率和小型化设计(长: 43mm/宽: 43mm/高: 22mm)，并通过 EMC/ESD/Surge测试，并且支援USB PD 3.0 PPS和Qualcomm Quick Charge 4+快充协议。