国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩充StrongIRFET系列，为高效能运算及通讯等应用推出20到30V的组件。其中的IRL6283M 20V DirectFET为该系列的重点组件，备有极低的导通电阻 (RDS(_on))。

IRL6283M在超薄的30 mm² DirectFET中型罐封装内配备低至500 μΩ (典型值) 的导通电阻，以大幅降低传导损耗，因而非常适合动态ORing和电子保险丝 (eFuse) 应用。新组件可从3.3V、5V或12V的电源轨操作，而且当电流达到20A时，更比尺寸同为30 mm²的同类型最理想PQFN组件降低15%的损耗，使设计师能够在高电流应用内减少组件数量。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：「StrongIRFET系列经过扩充后，能够满足市场对动态ORing和电子保险丝高效率开关的需求。全新IRL6283M在高效能封装内配备了行业领先的导通电阻，实现无可比拟的功率密度。」

与DirectFET系列的其他组件一样，IRL6283M提供有效增强电气和温度效能的上层散热功能，以及旨在改善可靠性的无键合线设计。此外，DirectFET封装符合电子产品有害物质限制指令 (RoHS) 的所有要求，例如完全不含铅的物料列表可迎合生命周期长的设计。同类型的高效能封装包含了高铅裸片，虽然获豁免不受电子产品有害物质限制指令第7(a) 项管限，但豁免将于2016年到期。

IR的StrongIRFET系列同时提供采用了行业标准占位面积的PQFN封装组件，并备有不含铅且符合电子产品有害物质限制指令的环保物料列表。