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飞利浦新型BISS电晶体问世
具高性能低VCEsat特性

【CTIMES/SmartAuto 楊青蓉报导】   2003年05月12日 星期一

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皇家飞利浦电子集团12日推出具高性能低VCEsat特性,1612尺寸SOT666/SS-Mini封装BISS电晶体。飞利浦指出,PBSS4240V和PBSS5240V的集电极电流高达2A,在功能增强的同时,与其他的SOT23封装1A元件相比,可节省41%的PCB空间。 PBSS4240V和PBSS5240V还提供极低的集电极-发射极电阻,由于产生的热量较少,故可提升整体电路的效率。

SOT666 BISS电晶体适用于电源管理应用,其中包括DC/DC转换、电源线开关,以及在手机、笔记型电脑等行动电子产品中的LCD背光等。最新的BISS电晶体还可驱动LED、继电器和蜂鸣器,在特定的应用中是低成本的MOSFET替代方案。

飞利浦表示,SOT666封装的低VCEsatBISS电晶体安装在印刷电路板上,只占1.6mmx1.6mm面积,它为设计业者所提供的性能,以前只能在尺寸更大的晶片封装和中等功率如SOT89/ SOT223中获得。飞利浦半导体产品经理Kai Rottenberger表示,『飞利浦三十年前就创造出SOT23封装技术,为半导体封装设计定下标准。今日,我们将继续为此领域投入心力,致力研发更小的核心半导体晶片解决方案。 』

關鍵字: 皇家飞利浦电子集团  Kai Rottenberger  一般逻辑组件 
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