Littelfuse推出低电容瞬态抑制二极体阵列

‧「直通型」设计可保障信号完整性、减少电压过冲并简化印刷电路板设计。

Littelfuse推出低电容瞬态抑制二极体阵列

全球电路保护领域的企业Littelfuse（利特）推出一个低电容瞬态抑制二极体阵列产品系列，用于保护高速差分数据线免因静电放电(ESD)、电缆放电(CDE)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌而损坏。每个SP2555NUTG系列瞬态抑制二极体阵列（SPA二极体）均可在高达45A和30kV ESD的条件下保护四个通道或两个差分线对。 SP2555NUTG系列产品的浪涌容差高于目前市面上的瞬态抑制二极体阵列，并可达到新兴乙太网协定较低的电压目标。

全球电路保护领域的企业Littelfuse（利特）推出一个低电容瞬态抑制二极体阵列产品系列，用于保护高速差分数据线免因静电放电(ESD)、电缆放电(CDE)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌而损坏。每个SP2555NUTG系列瞬态抑制二极体阵列（SPA二极体）均可在高达45A和30kV ESD的条件下保护四个通道或两个差分线对。 SP2555NUTG系列产品的浪涌容差高于目前市面上的瞬态抑制二极体阵列，并可达到新兴乙太网协定较低的电压目标。

「凭借每个输入/输出2.5pF的低电容以及较低的钳位电压水准，SP2555NUTG系列成为笔记型电脑、交换机和其他网路设备中1GbE应用等高速资料介面的理想选择。」 Littelfuse瞬态抑制二极体阵列产品经理Tim Micun表示，「低电容可维护信号完整性，并最大限度地减少资料遗失，同时提供免受电气威胁的更强大设备。」

在过载情况下，电流折返限制了MOSFET产生的热量。其他特点包括内建的自举二极体、电源良好输出讯号、可调输入过压锁住和软启动。

SP2555NUTG系列瞬态抑制二极体阵列提供表面安装式μDFN-10卷带封装，可通过全球各地的Littelfuse授权经销商索取样品。

SP2555NUTG系列瞬态抑制二极体阵列提供表面安装式μDFN-10卷带封装，可通过全球各地的Littelfuse授权经销商索取样品。

‧3.0mm x 2.0mm μDFN封装经过优化，可在高达45A和30kV ESD的条件下保护两个差分数据线对（四个通道）。