账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
凌力尔特推出双组同步降压DC/DC控制器
具备数位电源系统管理及快速70ms上电时间

【CTIMES/SmartAuto 編輯部报导】   2015年04月01日 星期三

浏览人次:【4531】

凌力尔特(Linear)日前发表一款双组输出同步降压DC/DC 控制器─LTC3887。该组件可透过 I2C PMBus接口来进行数字电源系统管理,LTC3887拥有更强化的特性,包括更快的70ms上电时间、更高的输出电压功能及快速的ADC模式,可针对每一个参数提供8ms更新率,此外,LTC3887及LTC3880则拥有共同的板面接脚占位。LTC3887结合模拟切换稳压器效能及精准的混合讯号数据转换,以在电力系统设计和管理上提供高度简易性。该组件拥有LTpowerPlayTM软件开发系统支持,具备简易的图形用户接口(GUI)。

/news/2015/04/01/1120580040S.jpg

LTC3887可透过数字设定和回读实时控制及监视关键的负载点转换器功能。可设定控制参数包括输出电压、余裕管理和电流限制、输入和输出监视限制、上电定序和追?、切换频率,及确认与可追踪的数据。芯片上的精密数据转换器和EEPROM可撷取和非挥发性储存稳压器配置的设定和遥测变量,包括输入及输出电压和电流、工作周期、温度和故障记录。

LTC3887可调节两个独立的输出,或可针对两个相位单一输出而加以配置。达 6个相位可交叉和并联,以于多个 IC之间精准分享,而能针对高电流和/或多个输出应用将输入和输出滤波要求降至最低。内建的放大器提供真正的差动远程输出电压感测,因此可以达到高度精准的稳压,而其可独立于板IR压降之外。应用范围包括于电讯、资通讯、运算和储存市场的大电流 ASIC、FPGA和处理器。

针对LTC3887的配置可采用凌力尔特的LTpowerPlay GUI-based 开发软体轻易地储存于元件I2C串列介面上的内部EEPROM。由于将配置储存在晶片上,控制器可以自主上电,而不会造成主处理器的负担。 Default设定可针对输出电压、切换频率,相位和装置位址透过外部电阻分压器选择式配置。多种设计可轻易地校准并于韧体配置,以针对广泛应用范围最佳化单一硬体设计。该转换器回路增益不会因电源参数的修改而改变,因此补偿可针对多个配置保持最佳化。

LTC3887具有高电流内建闸极驱动器,以从4.5V至24V输入电压范围驱动所有N信道功率MOSFET,并可在整个工作温度范围内透过每相位高达30A的输出电流从 0.5V至5.5V产生+/-0.50%的精准输出电压。最高效率可使用横跨输出电感(DCR)的压降来进行电流感测而获得,或透过选配式的外部感测电阻达成。可设定的DCR温度补偿可取消铜电感的温度系数,于宽广的温度范围内维持精准和恒定的限流。

该元件的90nsec最短导通时间使LTC3887适合于精小高频/高降压比应用。跨越多个晶片的精准计时,及基于事件(event-based)的定序可针对复杂、多电源端系统达到最佳的上电和断电。其他功能包括具备周期对周期限流的定频电流模式、可调式软启动、可同步切换频率、指示元件状态,并提供自主性的故障回复的可设定GPIO针脚。

LTC3887目前供货40接脚 6mm x 6mm QFN 封装,具备摄氏–40度至125度的操作接面温度范围。(编辑部陈复霞整理)

产品特色

‧双组输出同步降压DC/DC 控制器

‧强大的晶片上N通道MOSFET 闸极驱动器

‧I2C/PMBus 兼容串行接口

‧内部非挥发性EEPROM 内存

‧可设定的参数包括VOUT, ILIM, 定序,裕度调整, OV/UV位准及切换频率

‧系统管理遥测变量包括 VIN, IIN, VOUT, IOUT, 工作周期, 温度及故障状态和纪录

‧宽广VIN 范围:4.5V 至 24V

‧VOUT 范围:0.5V 至5.5V

‧在整个接面温度范围内实现+/-0.5%的最大DC输出电压误差

‧70ms Power-Up 时间

‧每8ms以快速的 ADC 模式升级一个可选式参数

‧温度补偿 DCR或RSENSE 电流感测

‧可为多达6个相位操作提供 PolyPhase

‧锁相定频 250kHz 至1MHz

關鍵字: DC/DC控制器  同步降壓  数字电源  电源管理  凌力尔特  系統單晶片 
相关产品
瑞萨与英特尔合作为新款Intel Core Ultra 200V系列处理器提供最隹化电源管理
瑞萨推出高整合度蓝牙低功耗无线SoC新品
SCHURTER新款电源输出??座整合传统与最新功能
贸泽电子2021 Empowering Innovation Together系列收录关键技术
大联大友尚推出基于ST产品的高压输入300W LED数位电源方案
  相关新闻
» 巴斯夫与Fraunhofer光子微系统研究所共厌 合作研发半导体产业创新方案10年
» 工研院IEK眺??2025年半导体产业 受AI终端驱动产值达6兆元
» ASM携手清大设计半导体制程模拟实验 亮相国科会「科普环岛列车」
» SEMI提4大方针增台湾再生能源竞争力 加强半导体永续硬实力
» 国科会促产创共造算力 主权AI产业专区落地沙仑
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BMAJ2FZOSTACUKA
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw