诺发系统近日宣布，已经开发conformal film deposition（CFD）技术，可在高宽比4:1的结构上有100%的阶梯覆盖能力。这项创新的CFD技术可以提供32奈米以下在前段制程的需求，例如gate liners、spacers、shallow trench 隔绝的高介电金属闸极（HKMG）liners和用在双曝光技术的spacers。诺发的CFD氧化物薄膜拥有和炉管热反应的氧化薄膜相同的质量和成分，包含低漏电、高崩溃电压和很低的湿蚀刻率。

诺发系统宣布开发conformal film deposition技术

32奈米制程以下的晶体管尺寸变异量极为重要，并且会影响组件表现，新的高conformal spacer薄膜已经被开发出来可以控制这些芯片上的critical dimensions。当整合方法和先进制程控制技术可以将芯片之间、批货之间的变异量降到最小，在芯片上的变异量就可以用spacer薄膜控制。然后更进一步，这些用在spacer薄膜的介电层必须在够低的温度下沉积，以降低杂质扩散。

CFD技术可沉积高质量的conformal 薄膜，可应用在前段制程并且符合32奈米以下质量以及低温的需求。图1A显示出百分之百conformality的CFD二氧化硅薄膜沉积在增加高宽比的前段结构。图1B的FTIR 光谱显示出在400C沉积的CFD氧化薄膜和炉管热制程的氧化层十分相似。电流-电压图显示出CFD薄膜具有很高的崩溃电压特性。更进一步的分析指出薄膜质量在侧边等同于大块区域。和一些用原子层沉积制程的竞争者比较，结合诺发的CFD技术和VECTOR多平台顺序沉积方式（MSSD）可以提供优异的芯片上和芯片之间的一致性，并且拥有显著的高产率和很低的化学品用量。