贸泽电子即日起开始供应Qorvo的QPD1025L碳化矽基氮化?? (GaN-on-SiC) 电晶体。

贸泽供应Qorvo 1800W QPD1025L碳化矽基氮化??电晶体，适合打造航空电子相关应用。

QPD1025在65V的运作功率达1.8 kW，为业界功率最高的碳化矽基氮化?? (GaN-on-SiC) 射频电晶体，拥有高讯号完整度和延伸的涵盖范围，适合L波段航空电子和敌我识别 (IFF) 应用。

GaN技术的效能与可靠度已获实证考验，为基础架构、国防与航太应用的最隹选择，适用於雷达、通讯、导航与类似应用。其效能等级更为提升，让设计人员在节省基板空间、降低系统成本等方面拥有更多弹性，并改善系统效能。

贸泽电子所供应的Qorvo QPD1025L为高电子迁移率电晶体 (HEMT)，同时支援脉冲与连续波 (CW) 运作，能更有效地提供等同於矽基LDMOS装置的效能。此装置透过65 V电轨供电，提供22.5 dB线性增益和77.2%的典型功率附加效率 (PAE^3dB)。QPD1025L电晶体具备内部输入预先匹配，可简化与外部电路板的匹配，同时节省电路板空间。

此电晶体符合无铅和RoHS标准，受QPD1025L评估板支援。