恒忆（Numonyx）近日宣布，推出首款65奈米多路输入输出串行式闪存（serial flash memory）系列产品，满足嵌入式市场严格编码和数据储存的可靠性要求。新的Numonyx Forté N25Q系列串行式闪存可为当今计算机、机顶盒和通讯设备的主流嵌入式应用提供最高的读写效能、设计灵活性和应用可靠性。

Numonyx Forté N25Q系列串行式闪存

Numonyx Forté N25Q系列是不断扩大的Forté串行式周边接口（SPI）闪存产品系列的最新产品，提供客户多种不同的读写效能和储存容量范围。恒忆这次推出了两款128Mb产品，电源电压分别为3V和1.8V，均采用65奈米制程。

透过首次在业界引入非挥发性配置缓存器（Non-Volatile Configuration Register）概念，恒忆新产品能够提高串行式闪存的设计灵活性和适用性。透过支持多个最适合应用的参数选项，这项新功能可优化闪存配置，而且在系统关闭电源后还能保存闪存设置。

因为无需在每次上电周期后对闪存进行复位操作，这种非挥发性配置功能可以大幅提升芯片上执行（XIP）储存系统的应用灵活性，透过减少时序周期次数，还能提高闪存的读写效能。采用Forté N25Q系列的产品设计还能减少系统DRAM，因为处理器可直接从闪存执行编码，从而能够为客户节约成本和电路板空间。

N25Q串行式闪存在同一装置上支持多位输入输出SPI协议（一位、二位和四位），能够为客户提供最高的设计灵活性。在全部电源电压范围内，恒忆大幅提高了读写效能，时序速度从75MHz提高到108MHz甚至四倍以上，在四位输入输出模式下时序速度更快，达到432MHz。

3V和1.8V的Forté N25Q 128Mb串行式闪存目前已开始投产。