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盛美半導體推出先進儲存器應用的18腔單晶圓清洗設備
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部報導】   2020年07月09日 星期四

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新型Ultra C VI系統充分利用盛美已被驗證的多腔體技術,為儲存器製造商提高產能並降低成本。

先進半導體設備供應商盛美半導體設備近日發布Ultra C VI單晶圓清洗設備,此為Ultra C清洗系列的新品。Ultra C VI旨在對動態隨機存取儲存器(DRAM)和3D NAND閃存晶圓進行高產能清洗,以實現縮短儲存產品的生產周期。這款新品以盛美成熟的多腔體技術為基礎,進一步擴展了清洗設備產品線。Ultra C VI系統配備了18個單片清洗腔體,對比盛美現有的12腔設備Ultra C V系統,其腔體數及產能增加了50%,而其設備寬度不變只是設備長度有少量增加。

「儲存產品的複雜度不斷提高,但仍然對產量有嚴格的要求。」盛美董事長王暉博士表示:「當清洗製程的時間逐漸加長或開始采用更複雜的乾燥技術時,增加清洗腔體有效解決產能問題,使先進儲存裝置製造商保持甚至縮短產品的生產周期。我們的18腔清洗設備將是解決這類問題的利器。Ultra C VI平衡了腔體數量配置,在實現高產能(wafer-per-hour)的同時,兼顧了與工廠自動化能力的匹配,同時也避免因腔體數量過多而面臨的設備宕機壓力。」

Ultra C VI可進行低至1y節點及以下節點的先進DRAM產品和128層及以上層數的先進3D NAND產品的單晶圓清洗。該設備可根據應用及涉及的化學方法運用於各種前道和後道制程,如聚合物去除、中段鎢或後段銅制程的清洗、沈積前清洗、蝕刻後和化學機械拋光(CMP)後清洗、深溝道清洗和RCA標準清洗。

清洗過程中可使用多種化學組合,包括標準清洗(SC1,SC2)、氫氟酸(HF)、臭氧去離子水(DI-O3)、稀硫酸雙氧水混合液(DSP,DSP +)、有機溶劑或其他制程化學品等。最多可對其中兩種化學品進行回收,節約成本。

該設備還可以采用可選的物理輔助清洗方法,例如二流體氮氣霧化水清洗或者盛美專有的空間交變相位移(SAPS)和時序能激氣穴震蕩(TEBO)兆聲清洗技術。可選配異丙醇(IPA)幹燥功能,應用於具有高深寬比的圖形片。此外,由於該設備與盛美現有設備的寬度一致,因此有助於提高晶圓廠的空間利用率,並進一步降低成本。

盛美計劃在2020年第三季度初期交付Ultra C VI給一家儲存製造廠進行評估和驗證。

關鍵字: 單晶圓清洗設備  盛美半導體 
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