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英飛凌推出全新OptiMOS 6 40 V 系列:具備優異的RDS(on)與切換效能
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2019年03月21日 星期四

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英飛凌科技推出全新OptiMOS 6系列,為分立式功率MOSFET技術奠定新技術標準。新產品系列採用英飛凌薄晶圓技術,提供顯著的效能優勢,並涵蓋寬廣的電壓範圍。全新40 V MOSFET系列已針對SMPS的同步整流進行最佳化,適用於伺服器、桌上型電腦、無線充電器、快速充電器及ORing電路。

英飛凌推出全新OptiMOS 6 40 V 系列:具備優異的RDS(on)與切換效能
英飛凌推出全新OptiMOS 6 40 V 系列:具備優異的RDS(on)與切換效能

相較於前一代產品,新款OptiMOS 6 40 V的導通電阻降低了30%,具備更佳的優質係數(Qg x RDS(on)降低29%、Qgd x RDS(on)降低46%)。因此新款裝置在SMPS應用中成為在寬廣輸出功率範圍內進行效率最佳化的理想選擇,避免在低負載和高負載狀況之間進行取捨。

其效率曲線明確顯示OptiMOS 6在低輸出功率位準表現上優於前代產品,這歸功於其優異的切換效率。即使RDS(on)損耗較大時,但仍可在較高的輸出功率上維持上述優點。因此,可簡化散熱設計並減少並聯數量,進而降低系統成本。

關鍵字: 晶圓  Infineon(英飛凌
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