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東芝推出800V超結N溝道功率新MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto 陳復霞整理報導】   2017年01月23日 星期一

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東芝公司(Toshiba)旗下儲存與電子元件解決方案公司宣布針對高效率電源推出具備改進的低導通電阻、高速開關的800V超結N溝道功率MOSFET。「DTMOS IV系列」的八款新MOSFET利用超結結構,與東芝之前的「π-MOSVIII系列」相比,其可將其單位面積導通電阻(RON x A)降低近79%。

東芝針對高效率電源推出具備改進的低導通電阻、高速開關的800V超結N溝道功率MOSFET..
東芝針對高效率電源推出具備改進的低導通電阻、高速開關的800V超結N溝道功率MOSFET..

該系列產品改進的高速開關還有助於提高使用該系列產品的晶片組的電源效率。這些MOSFET適用於工業電源,伺服器、筆記型電腦配接器和充電器以及行動裝置的備用電源以及LED照明燈具的電源。出貨即日啟動。

關鍵字: MOSFET  N溝道功率  高效率電源  低導通電阻  高速開關  東芝(Toshiba東芝(Toshiba電子邏輯元件 
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