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東芝推出新款600V/650V超接面N溝道功率MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto 陳復霞整理報導】   2017年02月06日 星期一

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東芝公司(Toshiba)旗下儲存與電子元件解決方案公司推出EMI性能更佳化的600V/650V超接面N溝道功率MOSFET,該產品適用於工業和辦公設備。

東芝新系列600V/650V超接面N溝道功率MOSFET適用於工業和辦公設備。
東芝新系列600V/650V超接面N溝道功率MOSFET適用於工業和辦公設備。

該新系列擁有與東芝當前的「DTMOS IV系列」相同水準的低導通電阻、高速開關性能,同時,其最佳化的設計流程使EMI性能提升約3至5dB。而且,降低的單位面積導通電阻(RON x A)性能使新的650 v 0.29Ω產品可使用DPAK封裝。該新系列產品適用於需要高效率和小體積的工業和辦公設備電源、筆記型電腦和行動裝置配接器和充電器以及電腦和印表機。

該新「DTMOS V系列」最初將提供12款產品。樣品出貨即日啟動,量產出貨計畫於3月中旬啟動。(source:BUSINESS WIRE)

關鍵字: MOSFET  電阻  超接面  東芝(Toshiba東芝(Toshiba電子邏輯元件 
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