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TI發表新量產、具鎖相迴路的DDR3暫存器
 

【CTIMES/SmartAuto 林佳穎報導】   2008年04月28日 星期一

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德州儀器(TI)發表量產、具有鎖相迴路(PLL)的DDR3暫存器,該元件為針對附帶暫存器的雙線記憶體模組 (RDIMMs)所設計,並且可透過固定的時脈以及輸出延遲來消除對電壓與溫度變化的影響,使系統更具穩定性。該單晶片四排(quad rank)的設計可更節省電路板上的整體空間,同時能降低伺服器、工作站以及儲存裝置的耗電量。

TI發表新量產、具鎖相迴路的DDR3暫存器
TI發表新量產、具鎖相迴路的DDR3暫存器

SN74SSQE32882 28至56位元暫存緩衝器的操作電壓為1.5 V,並支援同位檢查的功能以確保其可靠性。該晶片可支援由800Mbps到1333 Mbps的高資料傳輸率,以提供客戶在設計上的彈性,而且單一模組可支援高達72個 DRAM。

SN74SSQE32882超越了「美國電子工程設計發展聯合協會」(Joint Electron Device Engineering Council)在溫度與電壓穩定性上所規定的要求,是高效能伺服器系統在可靠性上的保證。

關鍵字: 暫存器  單晶片  TI(德州儀器, 德儀各類暫存器 
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