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Diodes雙極電晶體採用新型PowerDI5封裝
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍報導】   2010年03月25日 星期四

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Diodes近日宣佈,推出第一批採用其微型PowerDI5表面安裝封裝的雙極電晶體。應用Diodes第五代矩陣射極技術,這些率先問世的12款NPN和PNP電晶體,能夠為設計人員大幅提高功率密度和減少解決方案的體積。

PowerDI5的面積只有26平方毫米,電路板空間比SOT223封裝減少47%,也比DPAK封裝減少了60%;並且,離板高度只有1.1毫米的PowerDI5,相較於1.65毫米高的SOT223封裝和2.3毫米高的DPAK封裝顯得更加輕薄。

PowerDI5最小的銅板電功率額定值(minimum copper power rating)為0.74W。它在25 x 25毫米的銅和FR4物料上的75ºC/W額定熱電阻提供了1.7W的電功率,使其在熱性能的表現上遙遙領先,並取代了SOT223封裝在許多應用上的地位。

第一批採用新型PowerDI5封裝的NPN和PNP電晶體,適用於數據通訊、電信、馬達驅動和電池充電器等相關應用上。

新型元件DXT2013P5、DXT2014P5和DXTP03200BP5的額定電壓分別為100V、140V和200V。它們的低飽和電壓和具有快速切換開關的特性,有助於改善用戶接線口電路的直流–直流轉換器(SLIC DC-DC converter)效率。在線性電池充電器中,具有低飽電壓的20V DXTP19020DP5能夠確保充電器即使在較低的輸入電壓下,也能夠把電池完全充滿。

額定電壓為100V的DXTN07100BP5,透過小巧的封裝體積和低熱阻滿足48V穩壓器應用的需要;DXT5551P5則可作為電信線性驅動器,在需要比較高電壓的環境下,滿足長距離通訊線路的需求。

關鍵字: 雙極電晶體  Diode 
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