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安森美半導體推出HighQ IPD製程技術
 

【CTIMES/SmartAuto 陳果樺報導】   2007年07月09日 星期一

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安森美半導體(ON Semiconductor)宣佈擴充先進製程技術,提供HighQ銅整合被動元件(IPD, Integrated Passive Device)製造服務,這個創新的八吋晶圓技術可以提供比較簡單的矽銅技術更高的效能,但在成本上卻比昂貴的超高效能砷化鎵-金被動產品要低上許多。安森美半導體的HighQ IPD製程技術相當適合用來生產被動元件,例如便攜式與無線應用產品中需要更高效能以便取得更長電池使用時間的平衡非平衡轉換器、耦合器以及濾波器等。

「直到現在,設計工程師在為電路設計選用元件時,還是經常得為了要提供具有價格競爭力的消費性產品而必須在效能上做出犧牲。」安森美半導體製造服務業務總經理Rich Carruth表示,「砷化鎵-金被動元件製程雖然能夠提供較好的效能表現,但卻由於成本太高而無法應用在大量生產的消費性產品,例如行動電話與其他無線設備上。典型的矽銅被動元件雖然在成本上比砷化鎵-金更佔優勢,但效能表現卻不佳,採用安森美半導體 HighQ™製程的被動元件為設計工程師提供了相當好的第三種選擇,那就是以比砷化鎵-金更有競爭力的價格提供比傳統矽銅技術更高的Q值。」

IPD製程目前已經在安森美半導體位於美國的世界級八吋晶圓廠導入生產, HighQ製程技術提供了銅質較厚的電感器、MIM電容器(0.62 fF/um2)以及TiN電阻器(9 ohms/square),是一款能夠符合完整可靠度評估並展現解決方案穩固度的經驗證可靠製程。

關鍵字: 安森美  電源供應器  電阻器  電容器 
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