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IR全新20-30V StrongIRFET系列
為高效能運算及通訊應用提供極低導通電阻

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2014年04月08日 星期二

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國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴充StrongIRFET系列,為高效能運算及通訊等應用推出20到30V的元件。其中的IRL6283M 20V DirectFET為該系列的重點元件,備有極低的導通電阻 (RDS(on))。

IRL6283M在超薄的30 mm2 DirectFET中型罐封裝內配備低至500 μΩ (典型值) 的導通電阻,以大幅降低傳導損耗,因而非常適合動態ORing和電子保險絲 (eFuse) 應用。新元件可從3.3V、5V或12V的電源軌操作,而且當電流達到20A時,更比尺寸同為30 mm2的同類型最理想PQFN元件降低15%的損耗,使設計師能夠在高電流應用內減少元件數量。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:「StrongIRFET系列經過擴充後,能夠滿足市場對動態ORing和電子保險絲高效率開關的需求。全新IRL6283M在高效能封裝內配備了行業領先的導通電阻,實現無可比擬的功率密度。」

與DirectFET系列的其他元件一樣,IRL6283M提供有效增強電氣和溫度效能的上層散熱功能,以及旨在改善可靠性的無鍵合線設計。此外,DirectFET封裝符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 的所有要求,例如完全不含鉛的物料清單可迎合生命週期長的設計。同類型的高效能封裝包含了高鉛裸片,雖然獲豁免不受電子產品有害物質限制指令第7(a) 項管限,但豁免將於2016年到期。

IR的StrongIRFET系列同時提供採用了行業標準佔位面積的PQFN封裝元件,並備有不含鉛且符合電子產品有害物質限制指令的環保物料清單。

關鍵字: 電阻  IR 
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