力旺電子（ememory）Neobit OTP 技術在各晶圓代工廠及各製程平台快速擴散，在普及度高居世界第一的同時，因應市場產品應用的需求，同步致力於MTP (Multiple-Times-Programmable embedded non-volatile memory 多次可程式嵌入式非揮發性記憶體)之技術開發，能根據客戶對於容量（density），寫入次數（endurance）和導入成本低之各項需要，量身打造最適的解決方案。

力旺電子於2010年最新推出的NeoEE技術，特別適用於中低容量之多次可程式嵌入式非揮發性記憶體技術需求，如一般系統參數之調整、LCD螢幕之參數設定、Vcom 校正IC、CMOS 影像感應IC之多次調校需要。

由於NeoEE技術可與邏輯製程相容，並具有毋須外加任何光罩之優點，對於容量需求在16Kbit以下，高寫入次數之應用，可享有其製程簡單、以及成本面之高度優勢。目前力旺電子於NeoEE之技術開發，以具市場潛力之0.18微米製程為開端，已與歐洲系統晶片大廠於0.18微米製程進行合作，技術規格可達到10,000次之寫入次數。同時力旺電子並與晶圓代工夥伴合作，將於2010年下半年完成0.18微米及0.25微米之IP可靠度驗證，並積極與相關客戶展開進一步的合作。