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兼顧小型化且對應大功率! ROHM開始量產TOLL封裝SiC MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto Jason Liu報導】   2025年10月28日 星期二

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半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)已開始量產TOLL(TO-LeadLess)封裝的SiC MOSFET「SCT40xxDLL」系列產品。與同等耐壓和導通電阻的傳統封裝產品(TO-263-7L)相比,散熱性提升約39%,雖然兼具小型化及薄型化,卻能支援大功率。該產品非常適用於功率密度日益提高的伺服器電源、ESS(儲能系統)、以及要求扁平化設計的薄型電源等工業設備。

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與傳統封裝產品相比,新產品的體積更小更薄,元件面積削減了約26%,並且厚度減半,僅為2.3mm。另外很多TOLL封裝的市場競品的汲-源額定電壓為650V,而ROHM新產品則達到750V。因此即使考慮到突波電壓等因素仍可抑制閘極電阻,有助降低開關損耗。

產品陣容中包括13mΩ至65mΩ導通電阻共6款機型,已於2025年9月開始量產(樣品價格:5,500日元/個,未稅),並開始透過電商平台銷售。另外ROHM官網亦提供6款新產品的模擬模型,協助客戶立即進行電路設計。

<開發背景>

在AI伺服器和小型PV Inverter等應用中,功率呈現日益提高的趨勢,同時與之難以兼顧的小型化需求也與日俱增,因此功率MOSFET也必須具有更高的功率密度。特別是被稱為「披薩盒」的超薄型電源,其圖騰柱PFC電路*1需要滿足厚度4mm以下的嚴苛要求。為滿足上述市場需求,ROHM推出厚度僅為2.3mm、遠低於傳統4.5mm封裝產品的TOLL封裝SiC MOSFET。

<應用示例>

工業設備:AI伺服器和資料中心電源、PV Inverter、ESS(儲能系統)

消費性電子:一般電源

<名詞解釋>

*1) 圖騰柱型PFC電路

一種高效率的功率因數校正電路方式,透過MOSFET作為整流元件來降低二極體損耗。如採用SiC MOSFET,則可實現高耐壓、高效率及支援高溫運行的電源。

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