新思科技(Synopsys)日前宣佈，利用3D-IC整合技術加速多晶片堆疊系統(stacked multiple-die silicon system)的設計，以滿足當今電子產品在運算速度提升、結構尺寸縮小及功耗降低等面向上的需求。

此外，新思科技3D-IC initiative也將與IC設計與製造廠商密切合作，以提供全方位EDA解決方案，其中包括IC實作(implementation)及電路模擬(circuit simulation)產品的強化版本。

3D-IC技術彌補傳統電晶體微縮(transistor scaling)的不足，讓設計人員藉由讓多個晶片垂直堆疊或在矽基板(silicon interposer)上達成2.5D的平行排列(side-by-side)，以實現較高水準的整合。

3D-IC整合則是採用矽穿孔(through-silicon via，TSV)技術，是一種取代傳統晶片堆疊打線接合(wire-bonding)步驟的互連新技術。使用TSV可增加晶粒內(inter-die)的通訊頻寬、縮小封裝結構尺寸 (form factor)，並降低多晶片堆疊系統的功耗。

PPM Associates總經理Phil Marcoux表示：「當2D微縮變得不實用後，集合效能、功耗和功能優勢的3D-IC整合技術，很自然地便成了半導體科技的發展方向。有些3D-IC整合的優勢如提昇複雜度、強化效能，及降低功耗等，都已獲得證實；但在3D-IC整合技術成為傳統2D架構的商業可行替代方案之前，其他所宣稱的優勢如改善上市時程、降低風險及成本等則仍有待實現。就3D-IC整合技術應用於半導體產業而言，新思科技所提供之經矽晶驗證的EDA及IP解決方案是相當重要的。」