聯華電子今（2）日推出業界首項RFSOI製程技術的3D IC解決方案，此55奈米RFSOI製程平台上使用的矽堆疊技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將晶片尺寸縮小45%以上，客戶能夠有效率地整合更多射頻元件，以滿足5G更大的頻寬需求。

聯電的RFSOI 3D IC解決方案可減少電路板晶片所占面積達45%，支援 5G 行動裝置中整合更多射頻元件。

RFSOI是用於低雜訊放大器、開關和天線調諧器等射頻晶片的晶圓製程。隨著新一代智慧手機對頻段數量需求的不斷增長，聯電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術，並解決了晶片堆疊時常見的射頻干擾問題，將裝置中傳輸和接收資料的關鍵組件，透過垂直堆疊晶片來減少面積，以解決在裝置中為整合更多射頻前端模組帶來的挑戰。該製程已獲得多項國際專利，準備投入量產。

RFSOI解決方案系列從130到40奈米的製程技術，以8吋和12吋晶圓生產，目前已完成超500個產品設計定案，出貨量高達380多億顆。此外，聯電的6吋晶圓廠聯穎光電提供化合物半導體砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN），以及射頻濾波器（RF filters）技術，可充分滿足市場對射頻前端模組應用的各種需求。