帳號:
密碼:
最新動態
 
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
TI推出整合式開關元件和低壓降穩壓器
讓DDR記憶體的電源設計更簡單

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2004年07月07日 星期三

瀏覽人次:【6784】

德州儀器 (TI) 推出新的電源管理元件,把交換式直流轉換控制器和低壓降穩壓器整合至單顆晶片,為使用DDR和DDR II記憶體系統的設計人員帶來更強大的電源效能。對於DDR記憶體應用,例如美光的DDR和DDR II系統,這顆高整合度元件大幅減少電源管理的外部零件數目,最適合筆記型和桌上型電腦、繪圖卡和遊戲機等應用。

TI新推出的TPS51116內建同步電流模式的直流轉換控制器,專門提供Vddq電源,它還包含3 A低壓降穩壓器,可用來提供Vtt電源以及緩衝式參考電壓Vref。新元件完全符合DDR以及DDR II JEDEC規格,只要搭配開關驅動電路 (power train),再加上七顆外接電阻和電容,就能組成完整的DDR電源解決方案;相形之下,今天的系統則需要18顆或是更多的電源管理零件。TPS51116在負載很小時仍能提供極高的效率,例如在10 mA電流時,Vddq的效率可以超過85%。這顆高效能的低壓降穩壓器只需一顆2x10 μF的陶瓷輸出電容,就能汲入和供應3 A的峰值電流。

TPS51116內部的開關採用D-CAP模式的控制技術,它能提供100奈秒的負載步階暫態響應,同時減少外部的輸出電容數目;D-CAP模式也不需要外部迴路零件,但若設計要求更多強大的控制能力,TPS51116的迴路補償也能改變支援任何類型的輸出電容,包括陶瓷電容在內。新元件內建的低壓降穩壓器需要2x10 μF陶瓷輸出電容,它還能藉由減少輸入電壓以大幅降低系統功耗。TPS51116也能支援多種不同設計,Vddq電壓可以調整或固定不變,DDR為2.5 V,DDR II則為1.8 V。

除了高效能之外,TPS51116還能管理睡眠狀態的控制功能,幫助改善DDR記憶體系統的可靠性;這項整合功能可以加快新產品上市時間,因為設計人員可直接利用元件內部的控制功能,不需另行設計外部控制電路。此外,TPS51116還能確保Vtt低於Vddq,這能進一步提升DDR記憶體的可靠性。

關鍵字: DDR  DDR II  TPS51116  美光  電壓控制器 
相關產品
美光最低延遲創新主記憶體MRDIMM正式送樣
美光次世代繪圖記憶體正式送樣
美光推出全新 7400 NVMe SSD 為資料中心實現 PCIe Gen4 性能
世邁推出高容量NVDIMM 支援DDR4高匯流排頻率
美光推出次世代Crucial Ballistix電競記憶體
  相關新聞
» Crucial擴展DDR5 Pro電競記憶體產品組合 為遊戲玩家提供更快速度
» 巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年
» 工研院IEK眺望2025:半導體受AI終端驅動產值達6兆元
» ASM攜手清大設計半導體製程模擬實驗 亮相國科會「科普環島列車」
» 美光超高速時脈驅動器DDR5記憶體產品組合 可助新一波AI PC發展浪潮
  相關文章
» AI運算方興未艾 3D DRAM技術成性能瓶頸
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8B53WTXV2STACUKC
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw