三星電子（Samsung）今（24）日宣佈，開始量產運用40奈米級製程技術完成的低功耗（節能）4 gigabit（Gb）DDR3產品。此高密度記憶體將為資料中心（data center）、伺服器系統與高階筆記型電腦節省相當顯著的功率。

三星的40奈米級技術節能DDR3是為了伺服器產品而進行最佳化，以提昇其能源效率的等級，得以遵循、甚至超越新的能源之星（Energy Star）功耗規定。4Gb DDR3的量產可提高伺服器使用記憶體的總量至每一模組32GB，是基於2Gb元件的模組密度最高值的兩倍。隨著4Gb DDR3開始量產，三星計畫將90%以上的DDR DRAM改由40奈米級製程技術生產，以提供三星客戶當今最低成本的DRAM元件。

三星電子表示，伺服器在一顆CPU狀態下可裝設平均6個RDIMM插槽，容納高達96GB DRAM，功耗會因為元件特色而有所不同。一個基於60奈米級技術的1Gb DDR2模組會消耗210W，而基於40奈米級技術的2Gb DDR3模組可節省約75%功耗，只消耗55W，然而，全新的40奈米級技術4Gb DDR3模組則可省下高達83% 功耗，僅僅消耗36W。隨著對於資料中心能源成本的日趨重視，這些記憶體省下的功率等同於減少伺服器整體系統10%的功耗。

透過應用三星的40奈米技術4Gb DDR3模組到現存的伺服器系統，DRAM密度可增加至少兩倍，系統使用壽命可被顯著延長並進而減少新系統的投資。此4Gb DDR3可將SoDIMM的密度提昇至8GB，這促使一個系統層級密度在2個插槽狀態下可達到16GB，在4個插槽狀態下可達到32GB，得以滿足對具備先進顯示功能之高效能筆記型電腦的市場需求。

全新的4Gb DDR3可同時支援1.5V與1.35V規格，現在已供貨的記憶體模組包含16GB與32GB RDIMM，以及具備每秒1.6Gb效能的8GB SoDIMM記憶體模組。