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針對網路設備 瑞薩電子推新一代1.1 Gb記憶體裝置
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2010年10月21日 星期四

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瑞薩電子宣佈,將專為網路設備,包括新一代Ethernet標準(100GbE)以上之交換器及路由器,推出1.1 Gb記憶體裝置。新款的網路記憶體裝置,在單一晶片中結合了低耗電量、超大容量及高速傳輸等特色。

瑞薩電子已開發出能夠達到更高容量及速度,同時能利用獨特處理及電路技術節省耗電量的新記憶體裝置。
瑞薩電子已開發出能夠達到更高容量及速度,同時能利用獨特處理及電路技術節省耗電量的新記憶體裝置。

新的網路記憶體裝置是採用瑞薩電子的40-nm eDRAM技術製造,並加上了為開發高速記憶體裝置而設計出的電路技術。相較於瑞薩電子現有的低延遲DRAM產品,新網路記憶體裝置的記憶體容量提升了四倍(1.1Gb),隨機循環效能亦提升了30%,高速資料讀寫可達13.3毫微秒(ns),且最大運作頻率亦提高一倍至800MHz。儘管產品已經過上述改良,卻仍能維持在2瓦(W)的低耗電量。

為了能在穩定的情況下,操作36位元資料輸入/輸出(I/O)的800-MHz DDR(雙倍資料速率)介面,瑞薩電子也降低了供應1.0V電源的I/O電路電壓,並採用高壓側終端(在顯示卡記憶體裝置的效能方面頗受肯定),以便能穩定地運作。新網路記憶體裝置提供的多樣化功能,可自整合輸入訊號針腳之晶片終端裝置的可程設訊號終端電阻(on-die termination)開始,確保運作的可靠度。

其他功能尚包括可減少資料輸出雜訊的資料轉換功能、終端產品製造商可用於調整個別訊號針腳訊號輸入/輸出時間偏差的「per-bit deskew」(每位元校準)功能,以及可在印刷電路板上使用摺疊式安裝時,輕易控制布線長度的鏡像功能。

由於運作頻率提高,瑞薩電子將同一結構組件電源供應器的pin腳數量,增加至38pin腳,與現有產品使用的11x18.5 mm規格封裝相同結構,但組件尺寸仍維持在14x18.5mm。系統設計人員可採用新產品布建可靠的系統,無需擔心印刷電路板設計階段的電子特性問題。

關鍵字: DRAM  瑞薩電子(Renesas
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