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Ramtron百萬位元串列FRAM記憶體
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨報導】   2008年09月18日 星期四

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Ramtron宣佈推出新型F-RAM系列中的首款產品,具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選元件的特性。Ramtron的V系列F-RAM產品的首款元件FM25V10,是100萬位元(Mb)、2.0至3.6V、具有串列外設介面(SPI)的非揮發性RAM,採用8腳SOIC封裝,其特點是快速存取、無延遲(NoDelay技術)寫入、1E14讀/寫次數和低功耗。FM25V10是工業控制、計量、醫療、汽車、軍事、遊戲及電腦等應用領域1Mb串列快閃記憶體和串列EEPROM記憶體的理想代替產品。此外,Ramtron已計畫在2008年陸續推出SPI、I2C及平行介面V系列F-RAM產品。

與串列快閃記憶體或串列EEPROM不同,FM25V10以匯流排速度執行寫操作,無寫入延遲,且資料能夠立即寫入記憶體陣列。無需進行資料輪詢即可開始下一個匯流排週期。相比串列快閃記憶體和串列EEPROM,FM25V10的耐用性高出8個數量級以上,所消耗的有功功率卻不到其十分之一。

FM25V10具有高性能F-RAM功能,適用於要求頻繁或快速資料寫入或低功耗操作的非揮發性記憶體應用,應用範圍從高寫入次數至關重要的高頻資料獲取應用,以至嚴苛的工業控制應用,而在這些應用中,串列快閃記憶體或EEPROM因為寫入時間長而可能丟失資料,因此並不適用。

FM25V10具有一個唯讀器件ID,能夠以獨特的序號與/或系統重置選項排序。元件ID提供有關製造商、產品密度和產品修訂的資訊。獨特的序號使主機擁有與世界上任何其他主機不同的ID。系統重置選項可省去對外部系統重置部件的需要。

FM25V10可在-40℃至+85℃的工業溫度範圍工作,以40MHz SPI時脈速率運行時耗電僅為3mA,待機模式耗電僅為90μA,睡眠模式耗電更低至5μA。FM25V10的使用功耗為每MHz 38μA,遠低於同類串列快閃記憶體或EEPROM產品。

關鍵字: FRAM  Ramtron  鐵電性隨機存取記憶體 
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