飛思卡爾半導體發表首款商用磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件，並已投入量產。

飛思卡爾的4百萬位元MRAM產品是一款耐用性極佳的高速非揮發性記憶體，這種高速且耐用的特性組合是任何半導體記憶裝置都無法提供的。該元件係以一百多項飛思卡爾的MRAM專利技術為基礎，其中也包括了交替位元轉換(toggle-bit switching)技術。

MRAM將磁性材質與傳統矽晶電路結合，在單一元件中提供具備SRAM速度等級的非揮發性快閃記憶體。飛思卡爾推出此項技術的商業應用後，便可促使新一代的電子產品在尺寸、成本、功率消耗及系統性能上獲致重大的進展。

飛思卡爾策略與業務開發資深副總裁兼技術長Sumit Sadana指出，「MRAM研發及製造方面的領先成就，證明飛思卡爾有能力將次世代的半導體技術從實驗室推向市場，以嘉惠客戶，同時也證明飛思卡爾的創新成就，以及致力於提昇業界水準的強烈承諾。」

這款名為MR2A16A的飛思卡爾首創商用MRAM產品，適合用於網路、安全、資料儲存、娛樂遊戲及印表機等多種商業應用。該元件在設計上，便是希望成為可靠、經濟的單一元件，以取代使用電池驅動的SRAM裝置。本元件也可用於緩衝記憶體、組態儲存記憶體，以及各種需要高速、彈性及非揮發性MRAM的應用。