國際整流器公司（IR）近日宣布，推出一系列25 V及30 V元件，採用了IR最新的HEXFET MOSFET矽元件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝，為電訊系統、網路通訊和高端桌上及筆記本電腦應用的DC-DC轉換器，帶來高密度、可靠，且高效率的解決方案。

IR新款25 V及30 V高性能PQFN功率MOSFET系列

IR的新款高性能PQFN 3 x 3封裝是製造技術改進的成果，以全新精密占位空間提供較標準PQFN 3 x 3元件高出最多60%的負載電流效能，同時顯著減少整體封裝電阻，從而達到極低的導通電阻（RDS(on)）。除了低導通電阻，新的高性能PQFN封裝加強了熱傳導性和提高了可靠性，還符合工業標準及MSL1濕度敏感性測試。

該系列包括充當控制MOSFET的經優化元件，提供低閘極導通電阻（Rg）去減少開關損耗。在同步MOSFET應用方面，新元件採用FETKY（單片式FET及肖特基二極管）組態方式供應，從而縮短逆向復原時間，以加強效率和EMI性能。