國際整流器公司(IR)推出最新150V DirectFET MOSFET–IRF6643PbF，適用於包括36V至75V通用電訊輸入及48V固定輸入系統等多種運作環境的隔離式DC-DC轉換器。新DirectFET元件結合了IR的DirectFET封裝技術及新一代HEXFET功率MOSFET矽晶體，電流額定可達至35安培，並提供卓越的散熱效能和更高的效率，但佔位面積只與較短小的SO-8封裝相若。

150V DirectFET MOSFET

IR台灣分公司總經理朱文義表示，「IR DirectFET系列的最新元件繼續改善決定功率MOSFET、RDS(on)、QG及QGD效能表現的關鍵參數，所以能把傳導、切換及反向修復損耗降至最低。這些改進使讓元件能在較高的電流量下運作，但同時保留單一MOSFET的小巧體積。」

朱氏續稱，「基於把電路版的面積減少逾50%，現在一枚DirectFET MOSFET可以代替兩枚或三枚SO-8封裝元件。」

新元件的典型10V RDS(on)非常低，只為29mOhms，其低電感也使元件適合高電流同步整流插座。同時，IRF6643TRPbF的QG是39nC、QGD為11nC，數目非常低，因而可作為隔離式或DC-DC降壓轉換器的MOSFET。IRF6643TRPbF採用中級大小(MZ)DirectFET封裝。

IR已獲專利的DirectFET MOSFET封裝，具有以往標準塑料分立封裝所不能提供的全新設計優點。它們的金屬容器結構可提供雙面冷卻功能，把用於驅動先進微型處理器的高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理能力，有效增加一倍。此外，DirectFET封裝內的元件皆符合電子產品有害物質管制規定(RoHS)。