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英飛凌CoolSiC 肖特基二極體 1200 V G5 系列增添新封裝
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2019年06月19日 星期三

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英飛凌科技擴充 CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二極體系列,新增TO247-2 封裝產品,可取代矽二極體並提供更高的效率。擴大的 8.7 mm 沿面與空間距離可為高污染環境提供額外的安全性。最高 40 A 的正向電流可滿足電動車直流充電、太陽能系統、不斷電系統 (UPS) 及其他工業應用的需求。

CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二極體產品組合具有同級產品中最佳的正向導通電壓 (VF),以及在溫度變化下增加幅度最少的 VF,以及最高突波電流能力。新產品採用 TO247-2 腳位封裝。
CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二極體產品組合具有同級產品中最佳的正向導通電壓 (VF),以及在溫度變化下增加幅度最少的 VF,以及最高突波電流能力。新產品採用 TO247-2 腳位封裝。

相較於使用矽二極體,以CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二極體結合矽 IGBT 或超接面 MOSFET,可提升高達 1% 的效能 (例如,用於三相轉換系統的 Vienna 整流器級或 PFC 升壓級)。因此,PFC 與 DC-DC 級的輸出功率可大幅提升 40% 或更高。

除了可忽略不計的反向恢復耗損 (SiC 肖特基的特性) 之外,CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二極體產品組合還具有同級產品中最佳的正向導通電壓,以及在溫度變化下增加幅度最少的正向導通電壓,以及最高突波電流能力。因此能以具有吸引力的價位,提供領先市場的效率與更高的系統可靠性。由於其優異的效率,額定值 10 A 的 CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二極體可直接取代 30 A 矽二極體。

關鍵字: Infineon(英飛凌
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