帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
英飛凌推出全新CoolSiC技術產品組合 大幅提高靈活性
 

【CTIMES/SmartAuto 劉昕報導】   2022年04月22日 星期五

瀏覽人次:【2683】

英飛凌科技股份有限公司推出全新CoolSiC技術:CoolSiC MOSFET 1200 V M1H。這款先進的碳化矽(SiC)晶片將透過常見的Easy模組系列以及.XT互連技術的獨立封裝,建置於廣泛擴充的產品組合。

M1H晶片具備高度靈活性,適用於太陽能系統(如逆變器)等需要滿足峰值需求的應用,同時也是電動車快速充電、能源儲存系統及其他工業應用的理想選擇。

CoolSiC技術的最新進展可顯著擴大閘極操作窗口,從而改善給定裸晶尺寸的導通電阻。同時,更大的閘極操作窗口提供了對閘極驅動器和佈局相關電壓峰值的高魯棒性,即使在更高的切換頻率下,也不會受到任何限制。

隨著M1H晶片技術的發展,相關的外殼也採用了相似的技術與封裝,藉以實現更高的功率密度,可為工程師提供更多選擇來提升應用性能。

M1H將會整合至業界常用的Easy系列中,可進一步加強Easy 1B與2B模組。此外,還將推出一款採用全新1200 V CoolSiC MOSFET強化Easy 3B模組的新產品。新晶片尺寸的推出最大限度地提高了靈活性並確保了最廣泛的工業產品組合。M1H晶片可大幅改善模組的導通電阻,使裝置更有效率、更加可靠。

此外,最大暫態接面溫度為175°C以及過載能力的提升,可實現更高的功率密度與故障事件覆蓋率。與前代M1相比,M1H採用較少量的內部Rg,更易於最佳化切換特性。透過M1晶片,仍可保有動態特性。

除了Easy模組系列外,CoolSiC MOSFET 1200 V M1H產品組合還包括具備全新超低電阻7 m?、14 m?和20 m?的TO247-3和TO247-4獨立封裝。新裝置易於設計,特別是由於閘極電壓過沖和下衝,全新的最大閘源極電壓低至-10V,並配備雪崩與短路能力規格。

英飛凌的.XT互連技術先前已推出D2PAK-7L封裝,現在也在TO封裝中採用這項技術。與標準互連相比,其散熱能力加強了30%以上。因此,這項散熱優勢可用於提高高達15%的輸出功率。

此外,它可用於增加開關頻率以進一步縮減在例如電動汽車(EV)充電、儲能或光伏系統中的被動元件,可提高功率密度並降低系統成本。在不變更系統操作條件的情況下,.XT技術將會降低SiC MOSFET接面溫度,因此可大幅增加系統的使用壽命和功率循環能力。這是伺服驅動器等應用中的關鍵要求。

該款1200 V CoolSiC MOSFET M1H新產品可進一步提高基於SiC應用的最佳化潛力,在全球快速實現潔淨能源和能源效率。

關鍵字: Infineon(英飛凌
相關產品
英飛凌新款MOSFET優化高功率密度、效率和系統可靠性
英飛凌推出新一代 ZVS 返馳式轉換器晶片組
英飛凌全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 產品提供高功率密度
英飛凌全新PSoC車規級 微控制器系列支援第五代 CAPSENSE技術
英飛凌混合型 ToF(hToF)新品賦能新一代智慧型機器人
  相關新聞
» 協助客戶解決痛點 士林電機展示完整工控解決方案
» 台灣工具機展銀泰科技精銳盡出 主打智能與散熱兩大解決方案
» 筑波科技攜手LitePoint共創5G、Wi-Fi 7、UWB無線通訊新境界
» 工研院秀全球最靈敏振動感測晶片 可測10奈米以下振動量
» 安立知以全方位無線通訊方案引領探索6G時代
  相關文章
» 使用Microchip Inductive Position Sensor(電感式位置感測器)實現高精度馬達控制
» 以霍爾效應電流感測器創新簡化高電壓感測
» ESG趨勢展望:引領企業邁向綠色未來
» 智慧家居大步走 Matter實現更好體驗與可靠連結
» 車載軟體數量劇增 SDV硬體平台方興未艾

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.234.212.253
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw