英飛凌（Infineon）日前在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2010展場（2010年5月4-6日），推出了創新 IGBT 內部封裝技術，能大幅延長IGBT模組的使用年限。全新的.XT技術實現IGBT模組內所有內部接合的最佳化，以延長產品壽命。透過此全新的封裝技術，能滿足新興應用對於更高的功率循環性能之需求，更提升了模組的功率密度及更高的接面操作溫度。

英飛凌工業電力部門副總裁暨總經理Martin Hierholzer指出，藉由推出全新的.XT 技術，英飛凌不僅為功率循環性能立下新的標竿，也實現了更高接面溫度的運作。這些新技術能滿足包括商用、營建及農用車輛或風力發電等高度要求的應用。相較於現有的技術，全新的.XT技術可以延長IGBT模組10倍的使用壽命，另外輸出功率則增加25%。全新的技術支援最高達200°C的接面溫度。

功率循環會產生溫度變化，並導致IGBT模組內部接合的機械應力。單層因熱膨脹所產生的不同係數，會造成熱應力，最終導致材料疲乏及磨耗。全新的.XT技術涵蓋了IGBT模組內影響功率循環性能的關鍵區域，包括晶片前端的黏合接線、晶片背面的焊接（芯片至 DCB）以及DCB基板至底板的焊接。