英飛凌（Infineon）日前推出600 V及1200V第三代高速型IGBT High Speed 3產品系列，特別適用於高頻率和硬式切換相關應用。這一系列的裝置為降低切換損失以及極優異效率立下了新的標竿，可適用於高達 100 kHz的拓樸切換。

近幾年，為因應離散式IGBT應用的相關需求，設計必須尋求特殊性能的IGBT，實現最高的應用效能，例如切換和導通損失的最佳化。英飛凌新款600 V和 1200 V High Speed 3系列，針對高頻應用如電焊機、太陽能轉換器、交換式電源供應器（SMPS）和不斷電系統（UPS）等，賦予設計者最卓越的系統效能。

英飛凌 IGBT 功率離散元件資深行銷經理Roland Stele表示：「過去幾年來，IGBT 廣泛應用於工業驅動、感應加熱、焊接、UPS與太陽能轉換器，相關需求大幅增加，各種應用皆需不同的最佳化電源切換。英飛凌新一代的突破性IGBT元件特別適合於高頻的應用，能達到最低的切換損失並提升效率。」

新High Speed 3 IGBT系列針對高達100 kHz之應用作最佳化設計。相較於前一代產品，整體關斷損耗降低了35%，這可歸功於極短的拖尾電流時間。拖尾電流時間縮短了75%，進而達到 MOSFET的關斷切換特性。

導通飽和電壓在整體損失上扮演關鍵角色，能在切換損和導通損之間，掌握良好的平衡。新的High Speed 3系列採用英飛凌業經驗證的Trenchstop技術，擁有極低的導通飽和電壓，因此不僅具備極低的切換損失，導通損失同樣極低。

High Speed 3系列高速型IGBT內含一飛輪二極體（free-wheeling diode），此二極體尺寸已針對高速切換作最佳化設計，保持高柔軟性，應用於電磁干擾亦有非常優異的表現。